본 발명은 3차원 입체구조의 트랜지스터형 습도센서에 관한 것으로서, 유기물 혹은 고분자 센서 물질을 포함한 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor)의 전하 이동도(mobility) 및 센서 성능 개선을 위한 새로운 형태의 트랜지스터 제조방법 및 이에 사용되는 장치에 관한 것이다. 특히, 습도 센서를 3차원 입체구조의 트랜지스터 형태로 제조하는데 그 특징이 있는데, 3차원으로 구조된 전극 구조물에 3D 프린트과 같은 비진공 공정을