본 발명은 반도체 소자에 관한 것이고, 보다 상세하게 본 발명은 양방향 스위칭 동작을 하는 반도체 소자에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 반도체 소자는 기판; 기판의 상부에 형성된 버퍼층; 버퍼층의 상부에 형성된 배리어층; 배리어층의 상부에 형성된 게이트 절연층; 게이트 절연층의 상면 중 일부 혹은 전체를 관통하여 형성되고, 배리어층의 상부에 위치되는 소스 전극과 드레인 전극; 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 위치하고, 게이트 절연층에 의해